意法再扩碳化硅产能 联手三安光电在中国重庆建新厂

意法半导体（ST）宣布，将与三安光电携手在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅（SiC）组件合资制造厂，双方已签署协议。 新厂计划将于2025年第四季开始生产，并预计在2028年全面落成，届时将支持中国日益增长的电动汽车、工业电力和能源等应用的需求。 同时，三安光电将利用自有SiC基板制程，单独建造和营运一个新的8吋SiC基板制造厂，以满足该合资厂的基板需求。

该合资厂建设总金额预计约32亿美元，包含其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。 另外，该合资厂将采用ST的SiC专利制程技术，专注于为ST生产SiC元件，成为ST专用晶圆代工厂以支持其中国客户之需求。

此举将成为ST在意大利和新加坡持续重大的投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。 新合资厂将协助ST达到2030年SiC营收逾50亿美元的目标。 这项计划亦与ST之前向金融市场传递之公司在2025年到2027年达成200亿美元以上的营收目标，以及相关的财务模式一致。

意法半导体总裁暨首席执行官Jean-Marc Chery表示，中国的汽车和工业领域正朝向电气化全速前进。 对ST来说，与中国当地重要的合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，将有助于以最高效的方式满足中国客户不断成长的需求。 三安光电未来的8寸基板制造厂，加上双方新成立的前段合资制造厂，以及ST在中国深圳现有的后段制造厂相结合，使得ST有能力为中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。